NT5CB256M16CP-DI vs MT41K256M16HA-107AAT:E 비교

다음의 상세 나란히 비교: NT5CB256M16CP-DI 제조: Nanya Technology 및 MT41K256M16HA-107AAT:E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 활성
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 NT5CB256M16CP-DI MT41K256M16HA-107AAT:E
브랜드 Nanya Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.50 $5.95
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb —
공급 전압 1.35 V (DDR3L) 1.35V
데이터 속도 1600 Mbps/pin (max) 933 MHz (DDR3L-1866)
패키지 TFBGA-96 96-FBGA (9x14mm)
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
동작 온도 범위 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
메모리 크기 — 4Gbit (256M x 16)
Access Time — 20 ns
인터페이스 — Parallel
동작 온도 — 0°C to +95°C (Tc)
실장 유형 — Surface Mount
RoHS 상태 — Compliant
CAS 레이턴시 — 13 (typical)
Burst Length — 8, 4
On-Die Termination — Yes
Refresh — Auto-refresh, self-refresh

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