NT5CB256M16CP-DI vs MT41K256M16HA-107AAT:E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de NT5CB256M16CP-DI par Nanya Technology et MT41K256M16HA-107AAT:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ Actif
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre NT5CB256M16CP-DI MT41K256M16HA-107AAT:E
Marque Nanya Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,50 $5,95
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb —
Tension d'alimentation 1.35 V (DDR3L) 1.35V
Débit de données 1600 Mbps/pin (max) 933 MHz (DDR3L-1866)
Boîtier TFBGA-96 96-FBGA (9x14mm)
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
Plage de température de fonctionnement -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Taille de mémoire — 4Gbit (256M x 16)
Access Time — 20 ns
Interface — Parallel
Température de fonctionnement — 0°C to +95°C (Tc)
Type de montage — Surface Mount
Statut RoHS — Compliant
Latence CAS — 13 (typical)
Burst Length — 8, 4
On-Die Termination — Yes
Refresh — Auto-refresh, self-refresh

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis