1ED020I12B2XUMA1 vs 1EDB9275FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED020I12B2XUMA1 بواسطة Infineon و 1EDB9275FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1ED020I12B2XUMA1 1EDB9275FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated —
Isolation Technology Coreless transformer (magnetic coupling) Coreless transformer (CT)
Isolation Voltage (Vrms) 4500 Vrms 3 kVrms
Number of Channels 1 1
Output Current (typ.) 2 A source / 2 A sink —
Propagation Delay (typ.) 35 ns —
Supported Switch Voltage Class Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET —
DESAT Protection Yes (programmable threshold) —
Miller Clamp Yes (integrated 2 A clamp FET) —
Input Supply (VCC1) 5 V (logic side) —
Output Supply (VCC2) Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V —
العلبة PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16) PG-DSO-8 (150 mil)
Creepage Distance 8 mm —
درجة حرارة التشغيل -40 °C to +125 °C —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL-3 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Compliance RoHS compliant —
الوظيفة — Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting)
تكوين الخرج — High-side half-bridge
Peak Source/Sink Current — 9 A
Input Voltage (VDD) — 3 V to 15 V
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 300 V/ns
Clamping Response Time — 20 ns
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Input Logic — Inverting
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر