1ED020I12B2XUMA1 vs 1EDB9275FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED020I12B2XUMA1 מאת Infineon ו 1EDB9275FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1ED020I12B2XUMA1 1EDB9275FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Type Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated —
Isolation Technology Coreless transformer (magnetic coupling) Coreless transformer (CT)
Isolation Voltage (Vrms) 4500 Vrms 3 kVrms
Number of Channels 1 1
Output Current (typ.) 2 A source / 2 A sink —
Propagation Delay (typ.) 35 ns —
Supported Switch Voltage Class Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET —
DESAT Protection Yes (programmable threshold) —
Miller Clamp Yes (integrated 2 A clamp FET) —
Input Supply (VCC1) 5 V (logic side) —
Output Supply (VCC2) Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V —
מארז PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16) PG-DSO-8 (150 mil)
Creepage Distance 8 mm —
טמפרטורת פעולה -40 °C to +125 °C —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL MSL-3 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Compliance RoHS compliant —
פונקציה — Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting)
תצורת מוצא — High-side half-bridge
Peak Source/Sink Current — 9 A
Input Voltage (VDD) — 3 V to 15 V
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 300 V/ns
Clamping Response Time — 20 ns
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Input Logic — Inverting
טווח טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר