1ED020I12B2XUMA1 vs 1EDB9275FXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1ED020I12B2XUMA1 توسط Infineon و 1EDB9275FXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 1ED020I12B2XUMA1 1EDB9275FXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Driver Type Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated —
Isolation Technology Coreless transformer (magnetic coupling) Coreless transformer (CT)
Isolation Voltage (Vrms) 4500 Vrms 3 kVrms
Number of Channels 1 1
Output Current (typ.) 2 A source / 2 A sink —
Propagation Delay (typ.) 35 ns —
Supported Switch Voltage Class Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET —
DESAT Protection Yes (programmable threshold) —
Miller Clamp Yes (integrated 2 A clamp FET) —
Input Supply (VCC1) 5 V (logic side) —
Output Supply (VCC2) Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V —
بسته‌بندی PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16) PG-DSO-8 (150 mil)
Creepage Distance 8 mm —
دمای کاری -40 °C to +125 °C —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL-3 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Compliance RoHS compliant —
عملکرد — Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting)
پیکربندی خروجی — High-side half-bridge
Peak Source/Sink Current — 9 A
Input Voltage (VDD) — 3 V to 15 V
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 300 V/ns
Clamping Response Time — 20 ns
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Input Logic — Inverting
محدوده دمای کاری — -40 C to +125 C
وضعیت RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت