1ED3125MU12FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED3125MU12FXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED3124MC12HXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1ED3125MU12FXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family EiceDRIVER Compact 1ED31xx —
الوظيفة Single-channel isolated gate driver —
Peak Output Current 14 A —
Typical Output Current 10 A —
Isolation Voltage 3000 Vrms —
Propagation Delay (typ) 90 ns —
Number of Channels 1 —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) Magnetic coupling (coreless transformer)
العلبة PG-DSO-8 PG-DSO-8 (DSO-8)
عدد الأطراف 8 —
Driver Supply Voltage (VCC) 3 V to 5.5 V (input side) —
Output Side Supply (VOUT) 12 V to 20 V —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C —
Active Miller Clamp Yes —
Short-Circuit Clamping Yes —
Active Shutdown Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
حالة RoHS Compliant Compliant
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
عدد المخارج — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
زمن الصعود — 15 ns
زمن السقوط — 30 ns
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
نوع التركيب — Surface Mount
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر