1ED3127MU12FXUMA1 vs 2EDN7533RXTMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED3127MU12FXUMA1 بواسطة Infineon و 2EDN7533RXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 1ED3127MU12FXUMA1 | 2EDN7533RXTMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| الوظيفة | Single-channel isolated gate driver | Dual-channel low-side gate driver |
| عدد المخارج | 1 | — |
| تكوين الخرج | High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting | — |
| Peak Output Current | 10 A (source/sink) | — |
| Continuous Output Current | 9 A | — |
| Supply Voltage (VCC2 secondary) | 12 V to 35 V | — |
| Supply Voltage (VCC1 primary) | 3 V to 5.5 V | — |
| Propagation Delay (typ.) | 15 ns | 19 ns |
| Delay Matching (typ.) | 30 ns | — |
| Galvanic Isolation | 3000 Vrms (coreless transformer) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | — |
| Protection Features | Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection | — |
| العلبة | PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body) | PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Drives | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | — |
| Number of Channels | — | 2 |
| Input Polarity | — | Inverting |
| Peak Source/Sink Output Current | — | 5 A |
| Output Resistance (Pull-up, typ.) | — | 0.5 ohm |
| Output Resistance (Pull-down, typ.) | — | 0.3 ohm |
| Channel-to-Channel Delay Matching | — | 1.3 ns (typ.) |
| Rise/Fall Time | — | 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) |
| Input Logic Compatibility | — | LV-TTL |
| Input Voltage Tolerance | — | -12 V to +22 V |
| Supply Voltage VDD (recommended) | — | 4.5 V to 20 V |
| Supply Voltage VDD (absolute max) | — | 25 V |
| Under-Voltage Lockout | — | Yes (per channel) |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -40 C to +150 C |