1EDI60N12AFXUMA1 vs 1EDB7275FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDI60N12AFXUMA1 بواسطة Infineon و 1EDB7275FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDI60N12AFXUMA1 1EDB7275FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Single high-side, galvanically isolated —
Number of Channels 1 —
Isolation Type Magnetic (coreless transformer) —
Isolation Voltage 1200 V working voltage —
Maximum Output Voltage 40 V —
Source Current (typ.) 10 A —
Sink Current (typ.) 9.4 A —
Supply Voltage (VDD) 3.1 V to 17 V —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS/TTL —
Creepage Distance (min.) 4 mm —
Short-Circuit Clamping Yes (separate sink/source outputs) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة PG-DSO-8-51 (DSO-8) PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Product Type — Single-channel isolated gate driver IC
Topology Supported — High-side / low-side, half-bridge (with two parts)
Isolation Technology — Coreless transformer (CT) magnetic coupling
Isolation Voltage (Viso) — 3000 Vrms
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 300 V/ns (minimum)
Peak Source Output Current — 5.4 A (typical)
Peak Sink Output Current — 9.8 A (typical)
Propagation Delay — +6 / -4 ns (typical, see datasheet family)
Supported Switch Technologies — Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: full operating temperature range]
UVLO Protection — Yes (secondary side)
Marking Code — 1B7275A

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر