1EDI60N12AFXUMA1 vs 1EDB7275FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDI60N12AFXUMA1 מאת Infineon ו 1EDB7275FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDI60N12AFXUMA1 1EDB7275FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Single high-side, galvanically isolated —
Number of Channels 1 —
Isolation Type Magnetic (coreless transformer) —
Isolation Voltage 1200 V working voltage —
Maximum Output Voltage 40 V —
Source Current (typ.) 10 A —
Sink Current (typ.) 9.4 A —
Supply Voltage (VDD) 3.1 V to 17 V —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS/TTL —
Creepage Distance (min.) 4 mm —
Short-Circuit Clamping Yes (separate sink/source outputs) —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
מארז PG-DSO-8-51 (DSO-8) PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Product Type — Single-channel isolated gate driver IC
Topology Supported — High-side / low-side, half-bridge (with two parts)
Isolation Technology — Coreless transformer (CT) magnetic coupling
Isolation Voltage (Viso) — 3000 Vrms
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 300 V/ns (minimum)
Peak Source Output Current — 5.4 A (typical)
Peak Sink Output Current — 9.8 A (typical)
Propagation Delay — +6 / -4 ns (typical, see datasheet family)
Supported Switch Technologies — Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: full operating temperature range]
UVLO Protection — Yes (secondary side)
Marking Code — 1B7275A

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר