1EDI60N12AFXUMA1 vs 1EDB7275FXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1EDI60N12AFXUMA1 द्वारा Infineon और 1EDB7275FXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
1EDB7275FXUMA1 1EDB7275FXUMA1 - Single-Channel Isolated Gate Driver IC | Infineon

1EDB7275FXUMA1 - Single-Channel Isolated Gate Driver IC | Infineon

1EDB7275FXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 1EDI60N12AFXUMA1 1EDB7275FXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Driver Configuration Single high-side, galvanically isolated —
Number of Channels 1 —
Isolation Type Magnetic (coreless transformer) —
Isolation Voltage 1200 V working voltage —
Maximum Output Voltage 40 V —
Source Current (typ.) 10 A —
Sink Current (typ.) 9.4 A —
Supply Voltage (VDD) 3.1 V to 17 V —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS/TTL —
Creepage Distance (min.) 4 mm —
Short-Circuit Clamping Yes (separate sink/source outputs) —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C —
पैकेज PG-DSO-8-51 (DSO-8) PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Product Type — Single-channel isolated gate driver IC
Topology Supported — High-side / low-side, half-bridge (with two parts)
Isolation Technology — Coreless transformer (CT) magnetic coupling
Isolation Voltage (Viso) — 3000 Vrms
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 300 V/ns (minimum)
Peak Source Output Current — 5.4 A (typical)
Peak Sink Output Current — 9.8 A (typical)
Propagation Delay — +6 / -4 ns (typical, see datasheet family)
Supported Switch Technologies — Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — [DATA_NEEDED: full operating temperature range]
UVLO Protection — Yes (secondary side)
Marking Code — 1B7275A

डेटाशीट और संसाधन

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