1EDI60N12AFXUMA1 vs 1EDB7275FXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDI60N12AFXUMA1 tarafından Infineon ve 1EDB7275FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDI60N12AFXUMA1 1EDB7275FXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Configuration Single high-side, galvanically isolated —
Number of Channels 1 —
Isolation Type Magnetic (coreless transformer) —
Isolation Voltage 1200 V working voltage —
Maximum Output Voltage 40 V —
Source Current (typ.) 10 A —
Sink Current (typ.) 9.4 A —
Supply Voltage (VDD) 3.1 V to 17 V —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS/TTL —
Creepage Distance (min.) 4 mm —
Short-Circuit Clamping Yes (separate sink/source outputs) —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C —
Paket PG-DSO-8-51 (DSO-8) PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Product Type — Single-channel isolated gate driver IC
Topology Supported — High-side / low-side, half-bridge (with two parts)
Isolation Technology — Coreless transformer (CT) magnetic coupling
Isolation Voltage (Viso) — 3000 Vrms
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 300 V/ns (minimum)
Peak Source Output Current — 5.4 A (typical)
Peak Sink Output Current — 9.8 A (typical)
Propagation Delay — +6 / -4 ns (typical, see datasheet family)
Supported Switch Technologies — Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: full operating temperature range]
UVLO Protection — Yes (secondary side)
Marking Code — 1B7275A

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin