1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7126GXTMA1 بواسطة Infineon و 1EDN7116GXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 1EDN7126GXTMA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| الوظيفة | Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Configuration | Non-Inverting | — |
| Channel Type | Single | — |
| Driven Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VCC max value] | — |
| Peak Source Current | 1.5 A | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | 1.5 A | 4 A (typ) |
| Common-Mode Voltage (CMR) | 200 V | — |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | Truly Differential Input (TDI) |
| Propagation Delay (Typ.) | [DATA_NEEDED: tpd typical value] | — |
| Rise / Fall Time (Typ.) | [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | -40 °C to +125 °C |
| العلبة | PG-VSON-10-4 | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL3 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Reach | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Input Logic Compatibility | 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) | — |
| Driver Configuration | — | Non-inverting, single low-side |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Propagation Delay (Typ) | — | 9 ns |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| Miller Clamp | — | Integrated, active |
| UVLO | — | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |