1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7136GXTMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7126GXTMA1 بواسطة Infineon و 1EDN7136GXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 1EDN7126GXTMA1 | 1EDN7136GXTMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| الوظيفة | Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET | — |
| Configuration | Non-Inverting | Single channel, non-inverting |
| Channel Type | Single | — |
| Driven Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VCC max value] | — |
| Peak Source Current | 1.5 A | 4 A |
| Peak Sink Current | 1.5 A | 8 A |
| Common-Mode Voltage (CMR) | 200 V | — |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | — |
| Propagation Delay (Typ.) | [DATA_NEEDED: tpd typical value] | — |
| Rise / Fall Time (Typ.) | [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | — |
| العلبة | PG-VSON-10-4 | PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Reach | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Input Logic Compatibility | 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) | — |
| Product Type | — | Low-side gate driver IC |
| Target Switch | — | GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET |
| Input Logic | — | TTL/CMOS compatible |
| UVLO | — | Yes (VDD under-voltage lockout) |
| Propagation Delay | — | Sub-nanosecond class |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40 C to +125 C |
| Lead-free | — | Yes |
| Input Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: VDD range V] |
| Output Voltage (GaN gate) | — | Approximately 6 V (regulated) |