1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7136GXTMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDN7126GXTMA1 توسط Infineon و 1EDN7136GXTMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDN7126GXTMA1 1EDN7136GXTMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting Single channel, non-inverting
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 4 A
Peak Sink Current 1.5 A 8 A
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
محدوده دمای کاری -40C to +125C —
بسته‌بندی PG-VSON-10-4 PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Product Type — Low-side gate driver IC
Target Switch — GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET
Input Logic — TTL/CMOS compatible
UVLO — Yes (VDD under-voltage lockout)
Propagation Delay — Sub-nanosecond class
دمای کاری — -40 C to +125 C
Lead-free — Yes
Input Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD range V]
Output Voltage (GaN gate) — Approximately 6 V (regulated)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت