1EDN7136UXTSA1 vs 1EDI3033ASXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7136UXTSA1 بواسطة Infineon و 1EDI3033ASXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7136UXTSA1 1EDI3033ASXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة High-side / Low-side gate driver IC Isolated single-channel gate driver
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
عدد المخارج 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C —
العلبة TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-DSO-20-91 (wide-body)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes (per Infineon product family convention) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Technology — Coreless transformer isolation
Output Current (Source/Sink) — 12 A typical
Isolation Voltage (Vrms) — 5700 Vrms
Number of Channels — 1
Propagation Delay — 60 ns typical
Target Power Device — SiC MOSFET, IGBT
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Short-Circuit Protection — DESAT with programmable blanking
Miller Clamp — Active Miller clamp integrated
Bootstrap Diode — Integrated
Functional Safety — ISO 26262 ASIL D ready
Creepage Distance — 8 mm (typical for wide-body DSO-20)
Compliance — RoHS compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر