1EDN7136UXTSA1 vs 1EDI3033ASXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7136UXTSA1 מאת Infineon ו 1EDI3033ASXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDN7136UXTSA1 1EDI3033ASXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה High-side / Low-side gate driver IC Isolated single-channel gate driver
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
מספר יציאות 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +150 C —
מארז TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-DSO-20-91 (wide-body)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
נטול הלוגנים Yes (per Infineon product family convention) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Technology — Coreless transformer isolation
Output Current (Source/Sink) — 12 A typical
Isolation Voltage (Vrms) — 5700 Vrms
Number of Channels — 1
Propagation Delay — 60 ns typical
Target Power Device — SiC MOSFET, IGBT
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
Short-Circuit Protection — DESAT with programmable blanking
Miller Clamp — Active Miller clamp integrated
Bootstrap Diode — Integrated
Functional Safety — ISO 26262 ASIL D ready
Creepage Distance — 8 mm (typical for wide-body DSO-20)
Compliance — RoHS compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר