1EDN7136UXTSA1 vs 1EDI3033ASXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDN7136UXTSA1 توسط Infineon و 1EDI3033ASXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDN7136UXTSA1 1EDI3033ASXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد High-side / Low-side gate driver IC Isolated single-channel gate driver
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
تعداد خروجی‌ها 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
محدوده دمای کاری -40 C to +150 C —
بسته‌بندی TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-DSO-20-91 (wide-body)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes (per Infineon product family convention) —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Technology — Coreless transformer isolation
Output Current (Source/Sink) — 12 A typical
Isolation Voltage (Vrms) — 5700 Vrms
Number of Channels — 1
Propagation Delay — 60 ns typical
Target Power Device — SiC MOSFET, IGBT
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
دمای کاری — -40 C to +125 C
Short-Circuit Protection — DESAT with programmable blanking
Miller Clamp — Active Miller clamp integrated
Bootstrap Diode — Integrated
Functional Safety — ISO 26262 ASIL D ready
Creepage Distance — 8 mm (typical for wide-body DSO-20)
Compliance — RoHS compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت