1EDN7146UXTSA1 vs 2EDL8034G4CXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7146UXTSA1 بواسطة Infineon و 2EDL8034G4CXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7146UXTSA1 2EDL8034G4CXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Single-channel high-side TDI gate driver Half-Bridge (High-Side / Low-Side)
Maximum Blocking Voltage 200 V —
Input Configuration Truly differential (TDI) —
Output Current (Source / Sink) 1.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] —
زمن الصعود [DATA_NEEDED: typical rise time ns] —
زمن السقوط [DATA_NEEDED: typical fall time ns] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range V] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Target Transistor GaN SG HEMT or power MOSFET —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
حالة RoHS Compliant —
Topology Support Half-bridge, low-side, high-side —
Configuration — Non-Inverting
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 4 A
عدد المخارج — 2
Rise Time (Typical) — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Fall Time (Typical) — [DATA_NEEDED: fall time ns]
Propagation Delay (Typical) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V
VCC Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (VCC and VBS)
Isolation Type — Junction-isolated (level-shifted)
ESD Rating (HBM) — [DATA_NEEDED: ESD HBM kV]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Yes (per Infineon product page)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر