1EDN7146UXTSA1 vs 2EDL8034G4CXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7146UXTSA1 tarafından Infineon ve 2EDL8034G4CXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDN7146UXTSA1 2EDL8034G4CXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Type Single-channel high-side TDI gate driver Half-Bridge (High-Side / Low-Side)
Maximum Blocking Voltage 200 V —
Input Configuration Truly differential (TDI) —
Output Current (Source / Sink) 1.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] —
Artış Süresi [DATA_NEEDED: typical rise time ns] —
Düşüş Süresi [DATA_NEEDED: typical fall time ns] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range V] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40C to +125C —
Paket PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Target Transistor GaN SG HEMT or power MOSFET —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu Compliant —
Topology Support Half-bridge, low-side, high-side —
Configuration — Non-Inverting
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 4 A
Çıkış Sayısı — 2
Rise Time (Typical) — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Fall Time (Typical) — [DATA_NEEDED: fall time ns]
Propagation Delay (Typical) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V
VCC Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (VCC and VBS)
Isolation Type — Junction-isolated (level-shifted)
ESD Rating (HBM) — [DATA_NEEDED: ESD HBM kV]
İşletim Jant Sıcaklığı — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Yes (per Infineon product page)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin