1EDN7146UXTSA1 vs 2EDL8034G4CXTMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1EDN7146UXTSA1 بذریعہ Infineon اور 2EDL8034G4CXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 ✓ فعال
Infineon
2EDL8034G4CXTMA1 2EDL8034G4CXTMA1 - 120V 4A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8034G4CXTMA1 - 120V 4A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8034G4CXTMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 1EDN7146UXTSA1 2EDL8034G4CXTMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Driver Type Single-channel high-side TDI gate driver Half-Bridge (High-Side / Low-Side)
Maximum Blocking Voltage 200 V —
Input Configuration Truly differential (TDI) —
Output Current (Source / Sink) 1.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] —
رائز ٹائم [DATA_NEEDED: typical rise time ns] —
فال ٹائم [DATA_NEEDED: typical fall time ns] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range V] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40C to +125C —
پیکیج PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Target Transistor GaN SG HEMT or power MOSFET —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Topology Support Half-bridge, low-side, high-side —
Configuration — Non-Inverting
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 4 A
آؤٹ پٹس کی تعداد — 2
Rise Time (Typical) — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Fall Time (Typical) — [DATA_NEEDED: fall time ns]
Propagation Delay (Typical) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V
VCC Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (VCC and VBS)
Isolation Type — Junction-isolated (level-shifted)
ESD Rating (HBM) — [DATA_NEEDED: ESD HBM kV]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Yes (per Infineon product page)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں