2ED21064S06JXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED21064S06JXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED3142MC12HXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2ED21064S06JXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة High-Side and Low-Side Gate Driver —
Configuration Half-Bridge (2 outputs, non-inverting) Inverting, Non-Inverting
البنية الطوبولوجية High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode —
Maximum Offset / Boot Voltage 650 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.7 A —
Rise Time (typical) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typical) [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay (typical) 100 ns —
Channel-to-Channel Delay Match [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match] —
Under-Voltage Lockout Yes (both channels) —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة PG-DSO-14 (14-pin SOIC) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
حالة RoHS ROHS3 Compliant —
Negative Gate Drive Robustness -0.7 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
عدد المخارج — 2 (separate source/sink)
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Propagation Delay (typ.) — 40 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر