2ED21064S06JXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2ED21064S06JXUMA1 מאת Infineon ו 1ED3142MC12HXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 2ED21064S06JXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה High-Side and Low-Side Gate Driver —
Configuration Half-Bridge (2 outputs, non-inverting) Inverting, Non-Inverting
טופולוגיה High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode —
Maximum Offset / Boot Voltage 650 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.7 A —
Rise Time (typical) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typical) [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay (typical) 100 ns —
Channel-to-Channel Delay Match [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match] —
Under-Voltage Lockout Yes (both channels) —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
מארז PG-DSO-14 (14-pin SOIC) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
סטטוס RoHS ROHS3 Compliant —
Negative Gate Drive Robustness -0.7 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
מספר יציאות — 2 (separate source/sink)
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Propagation Delay (typ.) — 40 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר