2ED21084S06JXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED21084S06JXUMA1 بواسطة Infineon و 2ED21064S06JXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2ED21084S06JXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Half-bridge gate driver High-Side and Low-Side Gate Driver
البنية الطوبولوجية Half-bridge (high-side + low-side) High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
High-side Offset Voltage (max) 650 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A 0.29 A
Sink Current (typical) 0.7 A 0.7 A
Propagation Delay Rise (typical) 100 ns —
Propagation Delay Fall (typical) 35 ns —
Input Logic Non-inverting (HIN/LIN) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
UVLO (VCC) [DATA_NEEDED: VCC UVLO threshold] —
UVLO (VBS) [DATA_NEEDED: VBS UVLO threshold] —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
العلبة PG-DSO-14-49 (14-pin wide-body SOIC) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 3 [DATA_NEEDED: MSL level]
حالة RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Configuration — Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر