2ED2183S06FXUMA1 vs 1EDI20N12AFXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED2183S06FXUMA1 بواسطة Infineon و 1EDI20N12AFXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2ED2183S06FXUMA1 1EDI20N12AFXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Drivers 1 —
عدد المخارج 1 (half-bridge: high-side + low-side) —
Configuration High Side, Low Side, Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 650 V —
Output Current (Sink/Source) 2.5 A typical —
زمن الصعود 15 ns —
زمن السقوط 15 ns —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V (typ.) —
Logic Input Voltage 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) —
Input Type Non-Inverting —
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) VCC and VBS —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 2 2 (per JEDEC J-STD-020)
Terminal Finish Tin (e3 per JESD-609) —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) —
حالة RoHS Compliant —
Driver Configuration — Single high-side, isolated
Isolation Type — Galvanic (coreless transformer), reinforced
Number of Channels — 1
Maximum Supply Voltage (Output Side) — 17 V
Minimum Supply Voltage (Output Side) — 3.1 V
Peak Source Current — 4.0 A (typical)
Peak Sink Current — 3.5 A (typical)
Working Voltage (Isolation) — 1200 V (high-side rail reference)
Propagation Delay — 120 ns (typical)
تكوين الخرج — Separate source and sink pins
Short-Circuit Clamping — Yes (built-in)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 °C to +125 °C
RoHS Compliance — Compliant
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر