2ED2183S06FXUMA1 vs 1EDI20N12AFXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2ED2183S06FXUMA1 מאת Infineon ו 1EDI20N12AFXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 2ED2183S06FXUMA1 1EDI20N12AFXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Drivers 1 —
מספר יציאות 1 (half-bridge: high-side + low-side) —
Configuration High Side, Low Side, Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 650 V —
Output Current (Sink/Source) 2.5 A typical —
זמן עלייה 15 ns —
זמן ירידה 15 ns —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V (typ.) —
Logic Input Voltage 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) —
Input Type Non-Inverting —
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) VCC and VBS —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 2 2 (per JEDEC J-STD-020)
Terminal Finish Tin (e3 per JESD-609) —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) —
סטטוס RoHS Compliant —
Driver Configuration — Single high-side, isolated
Isolation Type — Galvanic (coreless transformer), reinforced
Number of Channels — 1
Maximum Supply Voltage (Output Side) — 17 V
Minimum Supply Voltage (Output Side) — 3.1 V
Peak Source Current — 4.0 A (typical)
Peak Sink Current — 3.5 A (typical)
Working Voltage (Isolation) — 1200 V (high-side rail reference)
Propagation Delay — 120 ns (typical)
תצורת מוצא — Separate source and sink pins
Short-Circuit Clamping — Yes (built-in)
טווח טמפרטורת פעולה — -40 °C to +125 °C
RoHS Compliance — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר