2ED2410EMXUMA1 vs 2EDR8258XXUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED2410EMXUMA1 بواسطة Infineon و 2EDR8258XXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2ED2410EMXUMA1 | 2EDR8258XXUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Driver Type | High-Side N-Channel MOSFET Gate Driver | — |
| عدد المخارج | 2 (independent) | 2 (high-side and low-side, half-bridge) |
| Configuration | Non-Inverting | — |
| Supply Voltage Range (VS) | 8 V to 36 V | — |
| Logic/VBAT Voltage Range | 3 V to 58 V | — |
| Source Current (typ.) | 175 mA | — |
| Sink Current (typ.) | 350 mA | — |
| زمن الصعود | 2 µs | — |
| زمن السقوط | 7 µs | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40 °C to +150 °C | -40 °C to +125 °C |
| العلبة | PG-TSDSO-24 (exposed pad) | PG-DSO-14 (14-pin) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Logic Input Compatibility | 3.3 V and 5 V MCU | — |
| Protection Features | Enable/Shutdown, Overcurrent Protection (OCP), Interleaved Conduction Protection, Charge Pump | UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Type | — | Isolated single-channel gate driver |
| Isolation Technology | — | Magnetic (coreless transformer) coupling |
| Number of Channels | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 5 A |
| Peak Sink Current | — | 9 A |
| Galvanic Isolation (rms) | — | 5700 Vrms |
| Galvanic Isolation (peak) | — | 8000 Vpk |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | — | 150 V/ns |
| Propagation Delay (typical) | — | 38 ns |
| Driver Supply Voltage (VCC, VBS) | — | 8 V to 20 V |
| Input Supply Voltage (VDD) | — | 3 V to 5.5 V |
| Logic Input | — | Non-inverting, CMOS compatible |