2ED2410EMXUMA1 vs 2EDR8258XXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2ED2410EMXUMA1 tarafından Infineon ve 2EDR8258XXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2ED2410EMXUMA1 2EDR8258XXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Type High-Side N-Channel MOSFET Gate Driver —
Çıkış Sayısı 2 (independent) 2 (high-side and low-side, half-bridge)
Configuration Non-Inverting —
Supply Voltage Range (VS) 8 V to 36 V —
Logic/VBAT Voltage Range 3 V to 58 V —
Source Current (typ.) 175 mA —
Sink Current (typ.) 350 mA —
Artış Süresi 2 µs —
Düşüş Süresi 7 µs —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 °C to +150 °C -40 °C to +125 °C
Paket PG-TSDSO-24 (exposed pad) PG-DSO-14 (14-pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V MCU —
Protection Features Enable/Shutdown, Overcurrent Protection (OCP), Interleaved Conduction Protection, Charge Pump UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection
Automotive Qualification AEC-Q100 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Product Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Magnetic (coreless transformer) coupling
Number of Channels — 1
Peak Source Current — 5 A
Peak Sink Current — 9 A
Galvanic Isolation (rms) — 5700 Vrms
Galvanic Isolation (peak) — 8000 Vpk
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 150 V/ns
Propagation Delay (typical) — 38 ns
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) — 8 V to 20 V
Input Supply Voltage (VDD) — 3 V to 5.5 V
Logic Input — Non-inverting, CMOS compatible

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin