2ED2410EMXUMA1 vs 2EDR8258XXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2ED2410EMXUMA1 מאת Infineon ו 2EDR8258XXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 2ED2410EMXUMA1 2EDR8258XXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Type High-Side N-Channel MOSFET Gate Driver —
מספר יציאות 2 (independent) 2 (high-side and low-side, half-bridge)
Configuration Non-Inverting —
Supply Voltage Range (VS) 8 V to 36 V —
Logic/VBAT Voltage Range 3 V to 58 V —
Source Current (typ.) 175 mA —
Sink Current (typ.) 350 mA —
זמן עלייה 2 µs —
זמן ירידה 7 µs —
טווח טמפרטורת פעולה -40 °C to +150 °C -40 °C to +125 °C
מארז PG-TSDSO-24 (exposed pad) PG-DSO-14 (14-pin)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V MCU —
Protection Features Enable/Shutdown, Overcurrent Protection (OCP), Interleaved Conduction Protection, Charge Pump UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection
Automotive Qualification AEC-Q100 —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Product Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Magnetic (coreless transformer) coupling
Number of Channels — 1
Peak Source Current — 5 A
Peak Sink Current — 9 A
Galvanic Isolation (rms) — 5700 Vrms
Galvanic Isolation (peak) — 8000 Vpk
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 150 V/ns
Propagation Delay (typical) — 38 ns
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) — 8 V to 20 V
Input Supply Voltage (VDD) — 3 V to 5.5 V
Logic Input — Non-inverting, CMOS compatible

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר