2ED3140MC12LXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED3140MC12LXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED3124MC12HXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
2ED3140MC12LXUMA1 2ED3140MC12LXUMA1 - 6.5A Isolated Gate Driver | Infineon

2ED3140MC12LXUMA1 - 6.5A Isolated Gate Driver | Infineon

2ED3140MC12LXUMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 2ED3140MC12LXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Isolated Gate Driver —
البنية الطوبولوجية Dual-channel, half-bridge capable —
Number of Channels 2 —
Peak Source Current 6 A 13.5 A
Peak Sink Current 6.5 A 14 A
Isolation Voltage (Vrms) 5700 Vrms —
Isolation Technology Capacitive coupling (coreless transformer) Magnetic coupling (coreless transformer)
UVLO Threshold 8.5 V —
Supported Switches IGBT, MOSFET, SiC MOSFET up to 2300 V —
Dead-Time Control Integrated, resistor-programmable —
العلبة PG-DSO-14-71 (DSO-14 wide-body, 300 mil) PG-DSO-8 (DSO-8)
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature] —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay] —
Creepage Distance >8 mm (per package) —
Safety Certification UL 1577 recognized —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Channel Configuration Independent or half-bridge —
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
عدد المخارج — 1
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
زمن الصعود — 15 ns
زمن السقوط — 30 ns
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر