2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL6014ACG2DXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDL8033G4CXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL6014ACG2DXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) —
تكوين الخرج Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
عدد المخارج — 2 (HS + LS)
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Marking Code — 2ED8033G4C
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر