2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDL6014ACG2DXTMA1 מאת Infineon ו 2EDL8033G4CXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2EDL8033G4CXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2EDL8033G4CXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2EDL8033G4CXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDL6014ACG2DXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) —
תצורת מוצא Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
מספר יציאות — 2 (HS + LS)
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
טווח טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Marking Code — 2ED8033G4C
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר