2EDL8034G4CXTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL8034G4CXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDL6014ACG2DXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL8034G4CXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Half-Bridge (High-Side / Low-Side) Half-Bridge Gate Driver
Configuration Non-Inverting —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
عدد المخارج 2 —
Rise Time (Typical) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (Typical) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (Typical) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range V] —
UVLO Protection Yes (VCC and VBS) —
Isolation Type Junction-isolated (level-shifted) Isolated (level-shifted floating high-side)
ESD Rating (HBM) [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40 C to +125 C —
العلبة PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
تكوين الخرج — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر