2EDL900G3XTMA1 vs 2EDL8124GXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL900G3XTMA1 بواسطة Infineon و 2EDL8124GXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL900G3XTMA1 2EDL8124GXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Dual-channel level-shift gate driver IC —
Topology Supported Half-bridge, high-side, low-side —
Isolation Type Junction isolation (JI), 120 V Junction isolation (JI)
Number of Channels 2 (high-side + low-side) —
Peak Source Current 4 A 3 A
Peak Sink Current 6 A 4 A
Drive Output Voltage Range 4 V to 16 V —
Supply Voltage (VDD/VBS) 4 V to 16 V —
Switching Device Supported Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET —
Configurable Deadtime Yes (programmable) —
Integrated Current Sense Amplifier Yes —
PWM Modes Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet) —
العلبة TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad PG-VDSON-8-4 (4 mm x 4 mm) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C [DATA_NEEDED: operating temperature range in C]
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Input Type — Non-inverting, TTL-compatible with hysteresis
Number of Drivers — 2
Bootstrap Supply (VBS) Maximum — 120 V
VCC Supply Range — [DATA_NEEDED: VCC min/max typical range]
Bootstrap Diode — Integrated
Propagation Delay (typical) — < 50 ns
Delay Matching Between Channels — [DATA_NEEDED: delay matching spec in ns]
UVLO — Present on VCC and VBS
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر