2EDL900G3XTMA1 vs 2EDL8124GXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDL900G3XTMA1 מאת Infineon ו 2EDL8124GXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDL900G3XTMA1 2EDL8124GXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Dual-channel level-shift gate driver IC —
Topology Supported Half-bridge, high-side, low-side —
Isolation Type Junction isolation (JI), 120 V Junction isolation (JI)
Number of Channels 2 (high-side + low-side) —
Peak Source Current 4 A 3 A
Peak Sink Current 6 A 4 A
Drive Output Voltage Range 4 V to 16 V —
Supply Voltage (VDD/VBS) 4 V to 16 V —
Switching Device Supported Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET —
Configurable Deadtime Yes (programmable) —
Integrated Current Sense Amplifier Yes —
PWM Modes Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet) —
מארז TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad PG-VDSON-8-4 (4 mm x 4 mm) with exposed pad
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C [DATA_NEEDED: operating temperature range in C]
רמת MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Input Type — Non-inverting, TTL-compatible with hysteresis
Number of Drivers — 2
Bootstrap Supply (VBS) Maximum — 120 V
VCC Supply Range — [DATA_NEEDED: VCC min/max typical range]
Bootstrap Diode — Integrated
Propagation Delay (typical) — < 50 ns
Delay Matching Between Channels — [DATA_NEEDED: delay matching spec in ns]
UVLO — Present on VCC and VBS
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר