2EDL900G3XTMA1 vs 2EDL8124GXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2EDL900G3XTMA1 توسط Infineon و 2EDL8124GXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 2EDL900G3XTMA1 2EDL8124GXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Dual-channel level-shift gate driver IC —
Topology Supported Half-bridge, high-side, low-side —
Isolation Type Junction isolation (JI), 120 V Junction isolation (JI)
Number of Channels 2 (high-side + low-side) —
Peak Source Current 4 A 3 A
Peak Sink Current 6 A 4 A
Drive Output Voltage Range 4 V to 16 V —
Supply Voltage (VDD/VBS) 4 V to 16 V —
Switching Device Supported Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET —
Configurable Deadtime Yes (programmable) —
Integrated Current Sense Amplifier Yes —
PWM Modes Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet) —
بسته‌بندی TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad PG-VDSON-8-4 (4 mm x 4 mm) with exposed pad
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -40 C to +125 C [DATA_NEEDED: operating temperature range in C]
سطح MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Input Type — Non-inverting, TTL-compatible with hysteresis
Number of Drivers — 2
Bootstrap Supply (VBS) Maximum — 120 V
VCC Supply Range — [DATA_NEEDED: VCC min/max typical range]
Bootstrap Diode — Integrated
Propagation Delay (typical) — < 50 ns
Delay Matching Between Channels — [DATA_NEEDED: delay matching spec in ns]
UVLO — Present on VCC and VBS
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت