2N7002H6327XTSA2 vs BSS306NH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2N7002H6327XTSA2 بواسطة Infineon و BSS306NH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2N7002H6327XTSA2 | BSS306NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS (Planar) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 300 mA (Ta) | 2.3 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 3 ohm max @ VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (Tj) | — |
| العلبة | PG-SOT23 (SOT-23-3) | SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Qualification | Industrial / Commercial Grade | AEC-Q101 (Automotive) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSS306NH6327XTSA1 |
| Part Family | — | BSS306N (OptiMOS Small Signal) |
| FET Type | — | N-Channel |
| RDS(on) max | — | [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max in V] |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55°C to +150°C (TJ) |
| Lead Plating | — | Pb-free (RoHS compliant) |
| Configuration | — | Single N-Channel, 3-pin |