2N7002H6327XTSA2 vs BSS306NH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2N7002H6327XTSA2 tarafından Infineon ve BSS306NH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2N7002H6327XTSA2 BSS306NH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (Planar) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) 2.3 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (Tj) —
Paket PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Qualification Industrial / Commercial Grade AEC-Q101 (Automotive)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS306NH6327XTSA1
Part Family — BSS306N (OptiMOS Small Signal)
FET Type — N-Channel
RDS(on) max — [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max in V]
İşletim Sıcaklığı — -55°C to +150°C (TJ)
Lead Plating — Pb-free (RoHS compliant)
Configuration — Single N-Channel, 3-pin

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin