ATSAMG53N19A-AU vs ATSAMG55J19A-AU مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ATSAMG53N19A-AU بواسطة Microchip Technology و ATSAMG55J19A-AU بواسطة Microchip Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Microchip Technology
ATSAMG53N19A-AU ATSAMG53N19A-AU - ARM Cortex-M4 48MHz MCU | Microchip

ATSAMG53N19A-AU - ARM Cortex-M4 48MHz MCU | Microchip

ATSAMG53N19A-AU ✓ نشط
Microchip Technology
ATSAMG55J19A-AU ATSAMG55J19A-AU - 120MHz Cortex-M4 MCU 512KB Flash | Microchip

ATSAMG55J19A-AU - 120MHz Cortex-M4 MCU 512KB Flash | Microchip

ATSAMG55J19A-AU ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل ATSAMG53N19A-AU ATSAMG55J19A-AU
العلامة التجارية Microchip Technology Microchip Technology
الفئة Microcontrollers Microcontrollers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Core Architecture ARM Cortex-M4 with FPU ARM Cortex-M4 with FPU
Core Clock Speed 48 MHz —
Bit Width 32-bit —
Program Memory (Flash) 512 KB (512K x 8) —
RAM 96 KB —
جهد التغذية 1.5 V to 3.6 V —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +85 C (Industrial) -40 C to +85 C (industrial)
العلبة LQFP-100 (14x14 mm) 64-LQFP (10x10 mm)
GPIO Count Up to 38 —
ADC 12-bit, up to 1 MSPS 12-bit SAR
USB USB 2.0 Full-Speed device with on-chip transceiver USB 2.0 Full-Speed device/host
Communication Peripherals USART/UART/SPI/TWI/I2C USART/UART, SPI, TWI (I2C), I2S, HS USB
Oscillator Internal 8 MHz, external 32.768 kHz RTC crystal support —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 3 (per industry standard) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Core Clock Speed (max) — 120 MHz
Instruction Set — 32-bit RISC + DSP extensions + FPU (single-precision)
Program Flash Memory — 512 KB (512K x 8)
SRAM (Total) — 160 KB
Backup SRAM with Retention — 16 KB (retained in deep sleep)
Supply Voltage (VDDIO/VDDCORE) — 1.62 V to 3.6 V
Audio Interface — I2S with PDM/TDM and sample-rate converter
External Bus Interface (EBI) — Yes (for SRAM/SDRAM/NOR Flash expansion)
Active Power Consumption — Down to 100 uA/MHz
Deep Sleep Current — Below 7 uA with SRAM retention
Wake-up Time (deep sleep to first instruction) — Down to 3 us
Lifecycle / New Design Recommendation — Active (new designs: consider ATSAMG55J19B Revision B)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر