ATSAMG53N19A-AU vs ATSAMG55J19A-AU موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ATSAMG53N19A-AU بذریعہ Microchip Technology اور ATSAMG55J19A-AU بذریعہ Microchip Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Microchip Technology
ATSAMG53N19A-AU ATSAMG53N19A-AU - ARM Cortex-M4 48MHz MCU | Microchip

ATSAMG53N19A-AU - ARM Cortex-M4 48MHz MCU | Microchip

ATSAMG53N19A-AU ✓ فعال
Microchip Technology
ATSAMG55J19A-AU ATSAMG55J19A-AU - 120MHz Cortex-M4 MCU 512KB Flash | Microchip

ATSAMG55J19A-AU - 120MHz Cortex-M4 MCU 512KB Flash | Microchip

ATSAMG55J19A-AU ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ATSAMG53N19A-AU ATSAMG55J19A-AU
برانڈ Microchip Technology Microchip Technology
زمرہ Microcontrollers Microcontrollers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Core Architecture ARM Cortex-M4 with FPU ARM Cortex-M4 with FPU
Core Clock Speed 48 MHz —
Bit Width 32-bit —
Program Memory (Flash) 512 KB (512K x 8) —
RAM 96 KB —
سپلائی وولٹیج 1.5 V to 3.6 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40 C to +85 C (Industrial) -40 C to +85 C (industrial)
پیکیج LQFP-100 (14x14 mm) 64-LQFP (10x10 mm)
GPIO Count Up to 38 —
ADC 12-bit, up to 1 MSPS 12-bit SAR
USB USB 2.0 Full-Speed device with on-chip transceiver USB 2.0 Full-Speed device/host
Communication Peripherals USART/UART/SPI/TWI/I2C USART/UART, SPI, TWI (I2C), I2S, HS USB
Oscillator Internal 8 MHz, external 32.768 kHz RTC crystal support —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 3 (per industry standard) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Core Clock Speed (max) — 120 MHz
Instruction Set — 32-bit RISC + DSP extensions + FPU (single-precision)
Program Flash Memory — 512 KB (512K x 8)
SRAM (Total) — 160 KB
Backup SRAM with Retention — 16 KB (retained in deep sleep)
Supply Voltage (VDDIO/VDDCORE) — 1.62 V to 3.6 V
Audio Interface — I2S with PDM/TDM and sample-rate converter
External Bus Interface (EBI) — Yes (for SRAM/SDRAM/NOR Flash expansion)
Active Power Consumption — Down to 100 uA/MHz
Deep Sleep Current — Below 7 uA with SRAM retention
Wake-up Time (deep sleep to first instruction) — Down to 3 us
Lifecycle / New Design Recommendation — Active (new designs: consider ATSAMG55J19B Revision B)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں