BAT42 vs BAT43 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BAT42 بواسطة STMicroelectronics و BAT43 بواسطة STMicroelectronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BAT42 BAT43
العلامة التجارية STMicroelectronics STMicroelectronics
الفئة Diodes Diodes
حالة دورة الحياة نشط نشط
Diode Type Small Signal Schottky Barrier —
Repetitive Reverse Voltage (VRRM) 30 V —
Average Forward Current (IF(AV)) 200 mA —
Forward Voltage (VF) [DATA_NEEDED: forward voltage at rated current] —
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) 4 A —
Reverse Leakage Current (IR) [DATA_NEEDED: reverse leakage current] —
Junction Operating Temperature up to 125 C —
Switching Speed Fast (Schottky, no reverse recovery) —
العلبة DO-35 axial through-hole DO-35 (glass axial, through-hole)
Configuration Single diode Single diode
Technology Metal-to-silicon Schottky junction with guard ring ESD protection Metal-to-silicon Schottky barrier
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Application Class General purpose fast switching —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Manufacturer STMicroelectronics —
Device Type — Small Signal Schottky Diode
Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) — 30 V
Forward Continuous Current (IF) — 200 mA at Ta = 25 C
Repetitive Peak Forward Current (IFRM) — 500 mA (tp <= 1 s, delta <= 0.5)
Non-Repetitive Surge Current (IFSM) — 4 A (tp = 10 ms)
تبديد القدرة (Ptot) — 200 mW at Tl = 65 C
ESD Protection — Integrated guard ring against excessive voltage
Forward Voltage — [DATA_NEEDED: forward voltage at rated current]
Reverse Leakage Current — [DATA_NEEDED: reverse leakage current]
Case Style — Hermetically sealed glass body
درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر