BSC010NE2LSIATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC010NE2LSIATMA1 بواسطة Infineon و BSC014N04LSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC010NE2LSIATMA1 | BSC014N04LSIATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series / Family | OptiMOS 25V | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 96 W | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS (Trench) | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (TJ) | -55 C to +150 C |
| عدد الأطراف | 8 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Rds(on) at 10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] | — |
| Rds(on) at 4.5V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 96 W |
| Power Dissipation (PD, Ta) | — | 2.5 W |
| Tradename | — | OptiMOS |