BSC010NE2LSIATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC010NE2LSIATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC014N04LSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC010NE2LSIATMA1 | BSC014N04LSIATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series / Family | OptiMOS 25V | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 96 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS (Trench) | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (TJ) | -55 C to +150 C |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Rds(on) at 10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] | — |
| Rds(on) at 4.5V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 96 W |
| Power Dissipation (PD, Ta) | — | 2.5 W |
| Tradename | — | OptiMOS |