BSC010NE2LSIATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC010NE2LSIATMA1 tarafından Infineon ve BSC014N04LSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC010NE2LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series / Family OptiMOS 25V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 96 W —
Paket PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology OptiMOS (Trench) OptiMOS 5 (trench, thin-wafer)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (TJ) -55 C to +150 C
Pin Sayısı 8 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Gate Drive Logic-level compatible —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Rds(on) at 10V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] —
Rds(on) at 4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc) — 96 W
Power Dissipation (PD, Ta) — 2.5 W
Tradename — OptiMOS

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin