BSC016N06NSTATMA1 vs BSC098N10NS5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC016N06NSTATMA1 بواسطة Infineon و BSC098N10NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC016N06NSTATMA1 BSC098N10NS5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC016N06NSTATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A 60 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 31 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 1.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 167 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
العلبة PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series OptiMOS —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 9.8 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max +/-]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (Tc=25C) — 69 W
Diode Continuous Forward Current (IS) — 63 A (Tc=25C)
Diode Pulse Current (IS,pulse) — 240 A (Tc=25C)
Diode Forward Voltage (VSD) typ — 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C)
Diode Forward Voltage (VSD) max — 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C)
Shipping Packaging — Tape & Reel (T/R)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر