BSC019N04NSGATMA1 vs IPD135N03LGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC019N04NSGATMA1 بواسطة Infineon و IPD135N03LGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC019N04NSGATMA1 | IPD135N03LGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS (trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 2.5 mΩ | — |
| RDS(on) typ at VGS=10V | 1.9 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 125 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS) |
| العلبة | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS™ |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 30 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) | — | 31 W (Tc) |
| العلبة / الحالة | — | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] |
| Gate Charge (Qg) | — | Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) |
| Output Charge (Qoss) | — | Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free Finish | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade) |