BSC019N04NSGATMA1 vs IPD135N03LGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC019N04NSGATMA1 tarafından Infineon ve IPD135N03LGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC019N04NSGATMA1 IPD135N03LGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS (trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max at VGS=10V 2.5 mΩ —
RDS(on) typ at VGS=10V 1.9 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 125 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS)
Paket PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS™
Continuous Drain Current (ID) — 30 A (Tc)
Power Dissipation (PD) — 31 W (Tc)
Paket / Kas — PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (per OptiMOS™ family spec)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (per OptiMOS™ family spec)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Finish — Yes
Qualification — Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin