BSC019N04NSGATMA1 vs IPD135N03LGATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC019N04NSGATMA1 توسط Infineon و IPD135N03LGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC019N04NSGATMA1 | IPD135N03LGATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS (trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 2.5 mΩ | — |
| RDS(on) typ at VGS=10V | 1.9 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 125 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C | -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS) |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS™ |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 30 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) | — | 31 W (Tc) |
| بسته‌بندی / کیس | — | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] |
| Gate Charge (Qg) | — | Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) |
| Output Charge (Qoss) | — | Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) |
| سطح MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free Finish | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade) |