BSC019N04NSGATMA1 vs IPD135N03LGATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC019N04NSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD135N03LGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC019N04NSGATMA1 | IPD135N03LGATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS (trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 2.5 mΩ | — |
| RDS(on) typ at VGS=10V | 1.9 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 125 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C | -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS) |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS™ |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 30 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) | — | 31 W (Tc) |
| প্যাকেজ / কেস | — | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] |
| Gate Charge (Qg) | — | Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) |
| Output Charge (Qoss) | — | Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) |
| MSL লেভেল | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free Finish | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade) |