BSC027N04LSGATMA1 vs BSC0504NSIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC027N04LSGATMA1 بواسطة Infineon و BSC0504NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC027N04LSGATMA1 BSC0504NSIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
تبديد القدرة (TC=25°C) 83 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-6
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) —
مستوى MSL 1 —
حالة RoHS Compliant unknown
خالٍ من الهالوجين Yes —
Drain-to-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current at Ta — 21 A
Continuous Drain Current at Tc — 72 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology Family — OptiMOS 5
عدد الدبابيس — 8 pins
Exposed Pad — Yes, according to distributor package description
On-State Resistance — [DATA_NEEDED: on-state resistance]
Gate Charge — [DATA_NEEDED: gate charge]
جهد عتبة البوابة — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
المقاومة الحرارية — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification]
Lead-Free Status — unknown
Halogen-Free Status — unknown
REACH Status — unknown

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر