BSC027N04LSGATMA1 vs BSC0504NSIATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC027N04LSGATMA1 توسط Infineon و BSC0504NSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC027N04LSGATMA1 BSC0504NSIATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
اتلاف توان (TC=25°C) 83 W —
محدوده دمای کاری -55°C to +150°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
بسته‌بندی PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-6
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) —
سطح MSL 1 —
وضعیت RoHS Compliant unknown
بدون هالوژن Yes —
Drain-to-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current at Ta — 21 A
Continuous Drain Current at Tc — 72 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology Family — OptiMOS 5
تعداد پین‌ها — 8 pins
Exposed Pad — Yes, according to distributor package description
On-State Resistance — [DATA_NEEDED: on-state resistance]
Gate Charge — [DATA_NEEDED: gate charge]
ولتاژ آستانه گیت — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
مقاومت حرارتی — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification]
Lead-Free Status — unknown
Halogen-Free Status — unknown
REACH Status — unknown

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت